檢索結果：共26筆資料 檢索策略： "Ruei-san Chen".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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本實驗主要為使用過渡金屬硫化物之二硒化鉬 (MoSe2)應用於生物電化學的檢測當中，以 p-type 矽基板為基底，為了增加 MoSe2 比表面積與感測靈敏度，利用熱化學氣相沉積法將 MoSe2 披…
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二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
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以熱氧化金屬鋅膜法製備氧化鋅奈米線紫外光檢測器，鋅薄膜之溝槽藉由聚焦離子束(focus ion beam, FIB)系統切割，隨後藉由熱氧化法於溝槽間成長氧化鋅奈米線。氧化鋅奈米線的直徑約為70 n…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣，以氧化鋅為靶材，成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性，可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度，且氮…
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法(CVT)所成長的六方晶系(2H) 二硒化鎢(WSe2)層狀半導體之奈米結構電傳輸特性。使用熱探針與的場效應電晶體(FET)量測法，確認此二硒化鎢單晶為P型半導體。並利…